Ab dem 1. Oktober 2013 fördert das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) die weitere Erforschung dieser innovativen Technologie am Institut für Experimentelle Physik II der Fakultät für Physik und Geowissenschaften der Universität Leipzig. "Fast eine Million Euro stellt das BMBF für die nächsten drei Jahre zur Verfügung", berichtet Prof. Dr. Marius Grundmann, in dessen Arbeitsgruppe die neuen Transistoren entwickelt wurden, die inzwischen in Europa, den USA und Kanada patentiert sind.
Ziel des nun startenden Projekts ist es, das Pozential der neuartigen Technologie für die industrielle Anwendung zu bestimmen. Grundmanns Arbeitsgruppe steht vor der großen Herausforderung, ihre eigene Technologie weiterzuentwickeln. Die auf Zinkoxidbasis gefertigten Transistoren als grundlegendes Schaltelement von Schaltkreisen benötigen nur eine sehr geringe Betriebsspannung und könnten so zum Beispiel für Strom sparende Displays etwa bei Smartphones eingesetzt werden. Bislang funktionieren die durchsichtigen Halbleiter allerdings erst bei relativ kleinen Anwendungen von wenigen Zentimetern Kantenlänge. "Hersteller von großen Displays oder von Solarmodulen rechnen aber in Quadratmetern", weiß Grundmann.
Solche Größenordnungen werden die Leipziger Forscher allein nicht erreichen können, da dies Fertigungsmöglichkeiten im industriellen Maßstab voraussetzt. Deshalb sollen zunächst Dünnschicht-Transistoren im Format etwa einer DIN-A5- oder auch einer DIN-A4-Seite entstehen. Eine entsprechende Sputter-Anlage zur Herstellung größerer Flächen konnten die Halbleiterphysiker bereits anschaffen. Darin wird ein so genanntes Sputter-Target - das ist eine flache Scheibe aus den keramischen Ausgangsmaterialien - zerstäubt und mit diesem Material ein Substrat beschichtet. Die Förderung durch das BMBF sieht vor, dass bei erfolgreicher Umsetzung Lizenzen für das Verfahren an Industriepartner vergeben werden.
Weitere Informationen
http://www.zv.uni-leipzig.de/
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